第1084章成了！我无冬大师成了

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    第1084章成了！我无冬大师成了(第1/2页)
    陈星听完整份汇报以后，沉默了一小会儿。
    甘良才跑了两个半月，见了十几个人，名单上的目标几乎全军覆没，只拉回来一个年仅25岁的何凯明。
    从数字上看，成绩很难看。
    但陈星心里清楚，这个结果在预料之中。
    这些人不是招不来，是时候没到。
    2013年的AI领域，深度学习刚刚冒头，学术界和工业界的大多数人对这个方向的态度还停留在有意思但不确定能不能成的阶段。
    杨立坤选择去FaCebOOk建FAIR，是因为扎克伯格给了他最好的条件。
    邓力留在微软，是因为微软的数据和工程体系已经非常成熟。
    其他人要么还在读博，要么正处在职业上升期，不可能为了一家华夏硬件公司放弃手里的东西。
    这些拒绝不是对红星的否定，是对现实的选择。
    甘良才有点紧张。毕竟名单上十几个人，只拿回来一个，换谁来当老板，都很难不失望。
    但陈星开口说的话出乎他的预料。
    “每个人都有自己的选择，不能说他们的拒绝是不对的。”
    陈星站起来，走到窗边，看着楼下科技园里来来往往的员工。
    “比起钱和待遇，这些人确实在意平台能力，在意数据，在意生态，在意学术圈子的反馈，这些东西红星现在给不了，那就是给不了，不用找借口。”
    说着说着，陈星自己就哼了起来。
    “想当初老子的队伍才开张，拢共才有十几个人七八条枪……”
    甘良才被他这一嗓子搞得愣了一下，啥玩意就十几个人七八条枪了？
    应该唱十几个厂七八万人吧？
    不过甘良才也在心里感慨，陈总的心态是真的好了很多。
    换一个老板，花了大半年时间让自己的得力干将满世界挖人，结果拿回来一张几乎全红的成绩单，多少要发点脾气或者甩两句重话。
    陈星的反应却好像在说，意料之中，没关系，慢慢来。
    陈星只唱了两句就停了，转过头来看着甘良才，“成教授呢？”
    成文飞。
    这个名字不在名单最前面，但陈星每次提到的时候，都是单独拎出来说的，列名单的时候也是单独列出来加粗的，而且陈总从来不把成文飞和其他人放在一起讨论。
    其他人是一份名单上的十几个名字，成文飞是另一个维度的存在。
    “还没正式接触。”甘良才如实说，“这次回国是处理何凯明入职手续和视觉计算团队搭建的事情，明天飞回霉国以后，接下来就专攻成教授这条线。”
    陈星走到甘良才面前，“老甘，其他人可以慢慢磨……但成文飞，无论如何都要给我抓过来。”
    甘良才点了点头，但心里也犯嘀咕。
    成文飞他了解过，在华人学术圈里只能说算是有·名气，斯坦福博士，目前在宾夕法尼亚做教授，研究方向涵盖计算机视觉和生成模型。
    论文发的不多，在学术界的号召力和江湖地位基本没有，和杨立坤、HintOn这种级别的人物相比，差距非常大。
    陈星为什么把成文飞看得比杨立坤还重？
    甘良才想不通。
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    从能力、影响力、领域贡献来看，杨立坤才是那个最值得红星砸重金挖的人。
    成文飞不是不好，但论优先级，放在名单的中间位置更合适，而不是被单独拎出来的那个。
    除非陈星知道一些自己不知道的事情。
    甘良才没有多问。
    跟着陈星干久了他也摸出了一条规律，有些决定不需要理解原因，只需要执行到位。陈总说这个人必须拿下，那就全力以赴去拿。
    还是那句话。
    凡是陈总做出的决策，我们都坚决维护。
    凡是陈总的指示，我们都始终不渝的遵循。
    接下来两个人聊了一些关于春招和秋招的安排。
    红星AI团队，GPU团队都是刚起步，基础研发人员缺口很大，何凯明一个人撑不起整个视觉方向。
    需要从各大高校批量招收应届博士和硕士，搭建底层的研发梯队。
    与此同时，红星半导体化学实验中心。
    夏春秋站在自己的工位前，两只手撑在操作台边沿，盯着屏幕上的三维模型。
    懂行的朋友看到图片应该就知道到能在硅片上这个孔有多重要了，
    这是一个硅片的横截面，放大到微米级别，中间是一个垂直贯穿的圆柱形通孔。
    孔壁极其光滑，侧壁角度看起来接近90度，没有任何肉眼可辨的锥度偏差。
    底部干净利落，没有残留沉积物。
    “六氟化硫进入腔室后，可以电离出一个氟自由基，这些氟自由基就会和裸露出来的硅反应，产生气态四氟化硅。”
    “也就是说，硅会被腐蚀掉，然后继续通入八氟环丁烷，八氟环丁烷被电离后又会形成含氟碳自由基，那么这个腔室就会形成一个保护层，通入六氟化硫后，硅就不会被腐蚀了。”
    实话实说，为了写这本书，我真的认真学习了很多东西，这个公式以及无冬大师的这个工艺，对后续发展非常重要
    “在这个时候我再加入一个电场，会让部分离子高速垂直俯冲，轰击保护膜的底部，这样只有底部的保护膜被打穿，侧边的还会被保留。”
    “然后继续重复下去，从理论上来说，用这种化学方式能在硅片上蚀刻出一个贯穿硅片的空洞。”
    夏春秋一边自言自语，一边在电脑上操作，屏幕上一组化学工艺参数的理论模拟曲线开始变化，沉积速率、刻蚀选择比、侧壁粗糙度、深宽比，四条曲线在某一个参数区间内同时收敛到了目标范围。
    全部收敛。
    没有一条跑偏。
    盯着那个收敛点看了足足两分钟，然后站起来，在实验室里走了两个来回，又坐下来重新看了一遍数据。
    “不对，再来一次。”
    重新跑了一遍模拟后，还是收敛。
    再调，换一组边界条件。
    还是收敛。
    夏春秋的手抖厉害了，把椅子往后一推
    “成了。”
    “成了！”
    沉积配比搞定了。
    刻蚀气体的选择性搞定了。
    循环参数的窗口搞定了。
    钝化层和刻蚀步骤之间的切换节奏也他妈的也搞定了。
    全搞定了！

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